дустрии, быстрее перейти на новые техно-
логические процессы, тем самым увеличив
объемы выпуска продукции, спрос на про-
дукцию, выполненную по 90- и 65-нм тех-
нологиям, остается откровенно низким.
Так, например, Taiwan Semiconductor M an-
ufacturing Со (TSMC), ведущий контрактный
производитель микросхем, сообщил, что в
третьем квартале доля микросхем, выпол-
ненных по 90-нм технологии, составила все-
го 1
% от общего объема продаж продукции.
Стараясь
активно
использовать
90 -нм техпроцесс, компания ведет разра-
ботку и 65-нм технологии. По словам техни-
ческого директора TSMC, «фаза предвари-
тельного выпуска» продукции, выполненной
с использованием новой технологии, начнет-
ся в конце 2005 - начале 2006 года.
На отдельной конференции исполни-
тельный директор U nited M icroelectronics
Carp. (UMC) сообщил, что в третьем квар-
тале доля проданных микросхем, выполнен-
ных по 90-нм техпроцессу, составило все-
го 2% от общего объема продаж, но в
4 квартале руководство компании намере-
вается повысить этот показатель до 5%. Что
касается внедрения 65-нм технологии, то
произойдет это, по словам представителя
компании, не ранее начала 2006 года.
Конкуренты двух лидирующих контракт-
ных производителей микросхем, Texas In-
strum ents и S em iconductor M anufacturing In-
te rn a tio n a l C orp. (SM ICj, в настоящее вре-
мя ведут разработки в области 90-нм тех-
процесса. SMIC намеревается начать пи-
лотное производство микросхем в первом
квартале 2005 года. Однако, как отмеча-
ют аналитики, 90-нм техпроцесс приносит
производителям больше проблем, чем при-
были: высокая стоимость оборудования,
стоимость разработки микросхем на фо-
не происходящих корректировок запасов
продукции на складах ведут к снижению
спроса на микросхемы, произведенные по
данной технологии.
Одноко аналитики считают такое раз-
витие ситуации нормой: производители мик-
росхем только недавно начали осуществ-
лять переход к новому дизайну, поэтому на
его принятие потребуется время. Коммен-
тируя перспективы внедрения 65-нм тех-
процесса, аналитики говорят, что в момент
выпуска микросхем, выполненных по этой
технологии, в 2005-2006 годах, «никто не
будет нуждаться в нем, поэтому объемы
продаж микросхем будут крайне низкими».
Источник: iXBT
Хорошея память Samsung Electronics
Компания Samsung Electronics сообщи-
ла о завершении разработки 72-Мбит мик-
росхем QDR II SRAM, высокопроизводи-
тельной памяти нового поколения, пред-
назначенной для использования в сетевом
оборудовании. Выпуск этих микросхем мо-
жет рассматриваться как анонс компонен-
тов SRAM самой высокой на текущий день
плотности, поскольку максимальная плот-
ность существующих компонентов QDR II
SRAM до этого анонса составляла 36 Мбит
Как отмечается в пресс-релизе, микро-
схемы способны выполнять операции с 4
потоками данных одновременно. Тактовая
частота работы микросхем — 300 МГц, что
на 20% выше, чему существующих 36-Мбит
М О Й КОМПЬЮТЕР
компонентов. Корпусировка микросхем
БВСА позволяет экономить место при раз-
водке печатной платы для них до 30% по
сравнению с ТОБР. Серийное производство
планируется на первую половину 2005 года.
В течение последних девяти лет Sam-
sung лидирует на рынке SRAM. В 2003 го-
ду доля компании составляла 33% этого
рынка, что равно суммарной доле компа-
ний, занимающих 2-е, 3-е и 4-е места в
рейтинге производителей. G artner Dataquest
прогнозирует увеличение рынка 72 Мбит
микросхем SRAM на 132% каждый год
вплоть до достижения объема в 800 мил-
лионов долларов к 2008 году, так что у
Samsung есть все основания, чтобы уве-
ренно смотреть в будущее. Тем более, что
компания начала работу над 144 Мбит
чипами QDR II, и намеревается в будущем
году увеличить свою долю на рынке SRAM
для сетевых устройств до 50%.
Источник: iXBT
Пншаипе: мощное о.
.. тихое
Компания OCZ Technology продолжа-
ет традицию выпуска блоков питания и
представляет 600 Вт PowerStream. В пресс-
релизе отмечается, что будут представле-
ны «международные» версии БП, мощно-
стью 420/520/600 Вт. Как и предыдущие
версии БП PowerStream, новое решение
оснащено универсальным разъемом С оп-
nectA II (ATX, ВТХ, Serial АТА, Р4 и EPS12V).
В новых БП реализована функция Pow-
erFlex (индивидуальной регулировки напря-
жения трех каналов), +3 В можно изменять
в пределах от +2.8 до +3.8 В, +5 В — в
пределах от +4.5 до +5.5 В, +12 В — в пре-
делах от 10.8 до 13.2 В. Наличие трех све-
тодиодов позволяет определять отклоне-
ние напряжения от номинала. Свечение
LED зеленым светом означает, что напря-
жение находится в пределах ±5% от опти-
мального, желтым — пониженное напряже-
ние, красным — повышенное напряжение.
Блоки выполнены с использованием тех-
нологии Pow erW hisper, позволяющей по-
низить уровень шума БП до 23 дБ при 60%
нагрузке. Габариты БП — 175x150x86 мм.
Полная линейка PowerStream представ-
лена моделями:
■X 420 BT-OCZ420ADJ и OCZ420ADJ EU
X 520 Вт—OCZ520ADJ и OCZ520ADJ EU
'А600 Вт—OCZ600ADJ
И
OCZ600ADJ EU
Источник: iXBT
Ш
т ш
Ш
Ш
щ
ш ш ш
с т ш й ш щ т
Ш Щ М М Ш Іщ : т
Шмшшш
ш ш
И
и
?
ш
ш ш т ш г Ш )
Щ т Ш Ш
т т Я л т ь
А
!
т
т
і
ї
Ч ІН Ф Р П И И Й
г,в
1
ШВ-в
Логотип Medio Master - зареєстрований товарний знак ТОВ "Цифровий Світ
• і
• « і
. М
М
а і
Е О
І А
Intel . логотип laid
,. Intel lns<4e , логотип Intel Irsstde , Irtîey Сепіопо.
логотип Intel Centono
Ceiçron
Intel Xeon
Intel SpwîdStef)
Hankwn
Pentium та Pentium IH Xeon ç товарними знаками або м и е т р о к и -«
товарними знаками корпорації Intel то її п'шроЗЕІпїв в СШ А то іншій стромо:
предыдущая страница 9 Мой Компьютер 2004 45 читать онлайн следующая страница 11 Мой Компьютер 2004 45 читать онлайн Домой Выключить/включить текст