Читаем
по
памяти
Владимир СИРОТА
Железный лоток
Продолжение, начало см. в МК, № 41(316), 42(317)
Банкуем
(8)-й символ в 5от$і/лд'овской маркировке (см. рисунок)
укажет нам на количество внутренних банков памяти в мик-
к Щ
х
1
1
2
3
X X
4
S
X X
6
7
х [ х ] х П х [ х ~ 1 х
Х ІХ
1
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X X
Р
18
»
Рисунок
росхеме (не следует путать их с банками собственно у мо-
дулей памяти!). В чипе эти банки относительно независимы,
они используют индивидуальные усилители сигналов и иную
логику, непосредственно определяя наличие количества мат-
риц (о них говорилось ранее) памяти в микросхеме. О со б е н -
ности здесь такие:
1 — 1
Bank. В микросхеме один банк памяти.
2 — 2 Bank. В чипе два банка памяти.
3 — 4 Bank. Именно 4 банка содержат распространен-
ные микросхемы DDR памяти производства Samsung. В ре-
зультате такого подхода в одном чипе мы вроде бы как по-
лучили сразу целых четыре «логических» микросхемы, причем
работающих практически независимо друг от друга. Этим
производители добились того, что максимальное количество
адресных ячеек, обрабатываемых за одно и то же количест-
во тактов шины памяти, увеличилось в четыре раза по срав-
нению с однобанковым вариантом.
4 — 8 Bank. Далее интерпретоция аналогична
5— 16 Bank.
6 — 32 Bank.
Такой волі феис
Ha (9)-й позиции в маркировке может стоять буква или
цифра, которая скажет нам об интерфейсе и особенностях
питания данной микросхемы памяти. Информация в данном
пункте расшифровывается в следующей последовательности:
Interface, VDD, VDDQ.
В общем, с интерфейсами особых
сложностей нет — это стандарты для микросхем разного на-
значения, утвержденные JED EC (
Joint Electronic Device Engi-
neering Council —
объединенный инженерный совет по элек-
тронным устройствам). V D D — это номинальное напряжение
для микросхемы на линиях питания, V D D Q — напряжение на
линиях питания шины данных. Ознакомимся с соответствую-
щими особенностями интерфейса и питания микросхем в за-
висимости от указанной маркировки по нижеприведенному
списку.
0 — TTL, 5.0V, 5.0V. Характеристики присущи старым 5-
вольтовым микросхемам, использовавшимся еще в модулях
памяти типа SIM M . TTL —
Transistor Tronsistor Logic,
транзи-
сторно-транзисторная логика управления микросхемой.
1 - TTL, 5.0V, 5.0V.
2 — LVTTL, 3.3V, 3.3V. Низковольтная (LV —
Low Voltage)
транзисторно-транзисторная логика. Микросхема рассчита-
на на 3.3-В напряжение.
3 — LVTTL, 3.0V, 3.0V. Микросхема с тем же типом логи-
ки, но вольтаж снижен до 3 В.
4 — LVTTL, 2.5V, 2.5V. Еще вариант низковольтной, 2.5-В
микросхемы.
7
— SSTL-2, 3.3V, 2.5V.
Stub Series Terminated Logic
(SSTL) —
этот сигнальный протокол требует наличия параллельного
согласующего резистора по каждому проводу и обладает
лучшей помехозащищенностью на высоких частотох. Исполь-
зуется для подавляющего большинства современных чипов
памяти. В конкретном случае используются разные напряже-
ния общего питания чипа и питания шины данных — 3.3 В и
2.5
В соответственно.
8 — SSTL-2, 2.5V, 2.5V. Типичные значения логики интер-
фейса и напряжения питания для микросхем памяти типа DDR,
используемых в массовых модулях.
9 — RSL, 2.5V, 2.5V. Микросхема, работающая на 2.5 В
напряжении и по специальному внешнему интерфейсу соеди-
нения микросхем — каналу
RAMBus,
состоящему из 30 ско-
ростных сигналов протокола
RSL,
включающего восемнадцать
линий данных, восемь линий адреса и две пары синхронизи-
рующих сигналов.
А — SSTL, 2.5V, 1.8V. В микросхеме используются разные
напряжения общего питания (2.5 В) и питания шины данных
(1.8 В).
Н — SSTL-2 DLL, 3.3V, 2.5V. Чипом используется сигналь-
ный протокол
SSTL-2.
J — LVTTL, 3.0V, 1.8V. Здесь и далее — варианты низко-
вольтных микросхем.
L - LVTTL, 2.5V, 1
8V.
М - LVTTL, 1.8V, 1.5V.
N - LVTTL, 1.5V, 1.5V.
P - LVTTL, 1.8 V, 1.8V.
Q — SSTL, 1.8V, 1.8V. Напряжение 1.8 вольт характерно
для микросхем (и модулей) памяти типа DDR2, которые вско-
ре станут массовыми.
R — SSTL-2, 2.8V, 2.8V. Микросхема, работающая на 2.8-В
напряжении.
S
— SSTL-2, 2.2V, 1.8V. В микросхеме с сигнальным про-
токолом SSTL-2 используются разные напряжения общего пи-
тания и питания шины данных.
U — DRSL, 1.8V, 1.8V. Низковольтная микросхема со сверх-
низким уровнем сигнала (200 мВ), сигнальный протокол в дан-
ном случае носит название
Differential Rambus Signaling Lev-
els
(DRSL).
Сшаричок-чиповичок
Ha позиции (10) в нашем «списке» маркировки (см. рисунок)
находится указание на поколение
(Generation)
микросхем. Для
нас интересного в этом мало, для производителя же переход
на каждое новое поколение чипов позволяет сделать произ-
водство конечных изделий дешевле: уменьшается число отбра-
кованных подложек с одной кремниевой пластины, одновре-
менно увеличивается общий выход количества заготовок для
микросхем с одной пластины. И все же получать знания мож-
но и просто ради знаний © — смотрим на возможные поко-
ления микросхем. Кстати, не следует думать, что чем более
«поздним» является поколение микросхем, тем они лучше ©.
М — 1
st Generation. Первое поколение микросхем.
А — 2nd Generation. Микросхема второго поколения.
В — 3rd Generation, и т.д., и т.п.
С — 4th Generation.
D — 5th Generation.
E — 6th Generation.
F — 7th Generation.
G — 8th Generation.
H — 9th Generation.
Y — Partial DRAM (2nd). Некая память (заготовка?), о ко-
торой мне ничего не известно.
Z — Partial DRAM (for R AM O STAK Product). Аналогично © .
На (1 1)-м месте в нашей маркировке стоит просто тире
(или все-таки дефис ©?), которое мы благоразумно не бу-
дем интерпретировать, невзирая на раздающиеся протесты
со стороны философов ©.
(Продолжение следует)
№ 44/319 01 ноября-08 ноября 2004
предыдущая страница 22 Мой Компьютер 2004 44 читать онлайн следующая страница 24 Мой Компьютер 2004 44 читать онлайн Домой Выключить/включить текст