Железный лоток
К
4
X
X X
X X
X
X
X
-
X
X
X X
X
X X
1
2
3
4
5
б
7
8
9
10
11
13
13
14
15
16
П
18
Рис.2
Первый символ (1 ) в этой маркировке — буква « К », кото-
рая означает, что данная микросхема принадлежит именно
к чипам памяти. Второй символ (2 ) маркировки — цифра « 4 » ,
она говорит о том, что конкретная микросхема относится к
классу памяти типа D R AM (Dynamic Random Access Memory,
динамическая память с произвольным доступом).
На третьей позиции (3 ) в маркировке стоит буква, кото-
рая «классифицирует» DRAM -память по ее подвидам. Чтобы
узнать, к какому именно виду памяти принадлежит данная
микросхема, смотрим в нижеследующий список:
А
А — Advanced Dram Technology. Соответствует микро-
схеме памяти, изготовленной с применением некой прогрес-
сивной технологии. Насколько мне известно, еще в 2000 г.
компании
Hyundai Electronics, Infineon Technologies, Intel Cor-
poration, Micron Technology Inc., N E C Corporation
и
Samsung
Electronics
организовали альянс по развитию этой самой A d -
vanced Dram Technology. Как далеко компании продвинулись
в своих изысканиях на текущий момент, мне неизвестно © .
v' С — Network — DRAM . Память для сетевых (коммуни-
кационных) устройств.
A
D — DDR S G R A M . DDR-память с особенностями, ори-
ентированными на оптимальную работу именно в видеокар-
тах, «наследница» VRAM , о которой далее.
A
Е — ED O . Extended Data O ut (E D O ). Память с расши-
ренным выводом данных, сейчас устаревшая. Данная па-
мять — несинхронная (асинхронная). Э то означает, что цикл
ввода или вывода данных из такой памяти не был четко со-
гласован с определенным количеством тактов шины памяти,
и поэтому предугадать точное время поступления данных из
микросхем (и, соответственно, модулей) E D O -памяти в ком-
пьютерной системе было невозможно.
Данная память «родилась» как эволюционное развитие
памяти типа
Fast Раде.
В процессе обращения к E D O -памя-
ти линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми
для чтения данных также по следующему за запрашиваемым
адресу в строке памяти. Э то дало возможность более опти-
мально организовать доступ к памяти, так как вероятность
нахождения следующей «порции» запрашиваемых для о б р а -
ботки данных в соседних ячейках памяти велика.
•С
F — FP. Fast Page (FP). Память с быстрой сменой стра-
ниц, еще более древний тип памяти, нежели E D O (FP мед-
леннее последней на 3—5% ), также несинхронная. Схема
оптимизации работы памяти с быстрой сменой страниц (Fast
Page) тоже основана на том постулате, что доступ к запра-
шиваемым данным в большинстве случаев осуществляется
по последовательным адресам ячеек памяти. Э та память
позволяла, наряду с обычным циклом доступа к ячейкам па-
мяти (определение адреса строки —
RAS,
затем определе-
ние адреса столбца —
CAS),
использовать сокращенный
цикл. В таком сокращенном цикле адрес строки (RAS) был
фиксирован, и обращ ение к столбцам памяти этой строки
не требовало времени на выполнение операции передза-
ряда строки при обращ ении к каждой последующей ячей-
ке памяти.
А С —
S G R A M . Synchronous Graphics Random Access
M em ory (SGRAM) — синхронная графическая память с про-
извольным доступом (такая память имеет особенности, уско-
ряющие операции с видеоданными, см. также о VRAM), ис-
пользовалась для видеокарт, сейчас не актуальна, в отличие
от DDR SG RAM .
A
Fl — DDR SDR AM . Синхронная динамическая память с
произвольным доступом (SDRAM, Synchronous Dynamic Ran-
dom Access Memory) и удвоенной частотой передачи данных
(DDR, Double Data Rate) за один такт шины памяти: переда-
ча данных осуществляется по нарастанию и спаду синхро-
низирующего сигнала (несущей).
A
J — G D D R 3 SD R AM . Graphics DDR3, память для графи-
ческих акселераторов, с усовершенствованной архитекту-
рой. Питается 1,8-вольтовым напряжением, в отличие от тре-
бовавшей 2.5 вольт памяти G D D R 2 (отсюда меньшее энер-
гопотребление и, соответственно, нагрев). Также G D D R 3 мо-
жет «на ходу» прерывать передачу данных по адресным ли-
ниям и линиям данных (on-die termination, OD7), в отличие от
G D D R 2 , которая могла делать подобное только по линиям
данных.
A
L — Mobile L2RAM . Микросхемы памяти этого типа ис-
пользуются в качестве кэша 2-го уровня
(L2)
в мобильных уст-
ройствах. То есть в таком варианте для кэширования необ-
ходимых процессору данных задействуется динамическая па-
мять, в отличие от принятой для таких случаев статической
памяти
(SRAM}
у современных процессоров для ПК. Стати-
ческая память (SRAM) не нуждается в скорой периодической
подзарядке ячеек памяти, поэтому она существенно быстрее
динамической памяти, из-за экономии времени на частые
процедуры предзаряда ячеек. О днако статическая память
значительно дороже динамической. С учетом этого, а также
того факта, что для медленных процессоров всевозможных
карманных компьютеров «медленной» динамической памяти
для кэша может оказаться вполне достаточно, применение
Mobile L2RAM вполне оправдано.
А
М — Mobile SDRAM . Синхронная динамическая память
с произвольным доступом для мобильных устройств. Обычно
обладает значительно более низким энергопотреблением по
сравнению с обычной SDRAM -памятью, что увеличивает срок
автономной работы мобильных устройств.
А
N — DDR S G R A M 2. Память типа DDR 2 со специфи-
кой для видеоакселераторов.
А
Р — FP
(Q u a d C A S ). Разновидность Fast Page M em ory
с технологией Q u a d -C A S : содержит 4 независимых однобит-
ных блока четности, доступ к каждому из которых идет по от-
дельной линии CAS. Такие микросхемы предназначалась для
установки р модули памяти SIM M с контролем четности.
A Q
E D O (Q u a d C A S ). Разновидность E D O -памяти с
особенностью Q u a d -C A S (см. выше).
4
R — Direct RDRAM. Чип памяти типа Rambus, эта па-
мять характеризуется довольно высокой частотой работы, но
узкой шиной данных и относительно большими задержками.
AS
— SDR AM . Synchronous Dynamic Random Access M e-
mory — синхронная динамическая память с произвольным
доступом. П о сравнению с господствовавшей до нее памя-
тью E D O , в этом типе D R AM появилась точная синхрониза-
ция операций шины с контроллером памяти и синхрониза-
ция внутренних банков памяти микросхем. Э то гарантирует
выполнение цикла обращения к памяти в строго определен-
ный срок, чего н£ могли обеспечить ни FP-, ни E D O -память.
Также этому типу памяти присущ усовершенствованный па-
кетный режим обмена: контроллер памяти может запросить
данные из одной или из нескольких последовательных ячеек
памяти, и даже из всей строки памяти сразу. Количество внут-
ренних банков (отдельных матриц со своими контроллера-
ми) у микросхем памяти типа SDRAM по сравнению с «пред-
ками» выросло с 1 -го до минимум двух или четырех. Посколь-
ку к ячейкам одного внутреннего банка можно обращаться
одновременно с выполнением процедуры перезарядки дру-
гого банка, такой подход увеличивает предельно допусти-
мую тактовую частоту работы чипа, опять же по сравнению
с FP- и E D O памятью. Также в этом типе памяти появляется
возможность одновременного открытия двух или четырех стра-
ниц памяти. Причем открытие одной страницы памяти (о них
см. далее) может осуществляться одновременно со считыва-
нием информации из другой. Есть и возможность обращ ать-
ся к новому адресу столбца памяти (сигнал CAS) при каж-
дом последующем тактовом цикле.
А
T — DDR SD R AM 2. Память типа DDR2. Э та память, на-
сколько мне известно, не представляет собой ничего рево-
люционно нового в области DRAM . Частота непосредствен-
но передачи данных осталась практически такой же, как у
обычной DRR-памяти (в ближайшем будущем предвидится
DDR2 400, 500 и 667 МГц). Неизменным остался и набор ко-
манд, размер страниц памяти. Зато вот частота буферов
ввода-вывода у DDR2- tomb ги удвоена по сравнению с DDR
и, с учетом того, что за каждый их такт передается два б ло -
ка данных, получается что «вовне» модулей DDR2-naMBrn дан-
ные передаются по четыре «порции» за такт (в отличие от
Окончание на стр. 26
предыдущая страница 21 Мой Компьютер 2004 41 читать онлайн следующая страница 23 Мой Компьютер 2004 41 читать онлайн Домой Выключить/включить текст